近期有消息表示，西部數(shù)據(jù)將于明年年底量產(chǎn)BICS6即第六代3D NAND閃存，與BICS5相比，BICS6的芯片的尺寸減小了40%，程序性能提高兩倍以上，讀取延遲縮短了10%，輸入輸出性能則提高了66%。
目前西數(shù)出貨的主要產(chǎn)品是2019年2月份發(fā)布的BICS5，堆棧層數(shù)112層，核心容量512Gbit，接口速度1.066Gbps。BiCS5采用了陣列下電路(CuA)設(shè)計(jì)。其中邏輯電路位于芯片的底部，數(shù)據(jù)層堆疊在它的上方。非CuA技術(shù)相比，芯片尺寸可縮小15% 。與96層的BiCS4相比，BiCS5可讓模具總體縮小23%。
得益于更高效率的電路設(shè)計(jì)布局，BICS6的性能和尺寸再一次提升，但根據(jù)西數(shù)的計(jì)劃，BiCS6閃存將從明年初開始生產(chǎn)，真正大規(guī)模量產(chǎn)要到2022年底。
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