國產半導體發展火熱，2022年我國全年集成電路產量3241.9億塊，出口數量總額2734億塊。不過，中國大陸生產的晶圓有大約一半是由海外以及中國臺灣地區的公司生產的。

　　中國大陸排名靠前的十大芯片制造企業中，有五家是國際芯片制造巨頭，包括：三星、英特爾、SK 海力士、臺積電、聯電等。

　　在華建廠并非特例，早在20年前，諸多國際巨頭公司紛紛赴華搭建其子公司。隨著美國頻頻公布相關“禁令”，國內的外資及臺資晶圓廠也在逐漸修改一些計劃。

　　01 國內有哪些海外晶圓廠？

　　英特爾

　　前不久，英特爾CEO帕特·基辛格訪問中國，受到了中國政府多位官員的會見。植根中國近40年，帕特·基辛格表示，英特爾中國是英特爾的戰略之重。

　　英特爾(中國)在1994年成立于上海，2007年，英特爾宣布在大連市建設12英寸晶圓制造工廠，這是英特爾在亞洲*的晶圓制造廠。

　　三年后，英特爾大連晶圓廠宣布投產，在2015年前主要生產65nm制程的產品，之后則主要生產3D NAND存儲產品，這是英特爾閃存業務的主要產線。

　　2017年5月，英特爾還專門在其大連工廠發布了采用 3D NAND 技術的全新數據中心級固態盤。2018年9月，英特爾當時*進的 96 層 3D NAND 產品也在大連投產。

　　隨著2020年，英特爾宣布向SK海力士賣出其NAND閃存業務，英特爾在中國*的晶圓制造工廠也拱手讓給 SK 海力士。

　　三星

　　三星是最早入駐中國的企業，早在1993年，三星就在天津成立了合資公司。三星在國內的晶圓廠有兩座，分別是在蘇州、西安。1994年，三星電子(蘇州)半導體有限公司成立，主要從事半導體產品封裝、測試業務。

　　2012年，三星在西安建立自己全資子公司三星(中國)半導體有限公司，生產存儲芯片。2014年投產的一期項目共投資137億美元，2021年10月滿產的二期項目投資了133億美元。

　　從產能方面看，*工廠每月12萬片、第二工廠每月可加工13萬片。因此，三星電子在西安工廠生產的NAND閃存的月生產量達到了25萬片。這一產能占三星電子NAND閃存總產量的40%以上。根據之前的規劃，三星還將投資150億美元建設西安三期項目，主要制造5G芯片和汽車芯片。

　　SK 海力士

　　如前文所述，英特爾出售其NAND閃存業務，SK 海力士就是其收購買家。目前，SK海力士在中國大陸無錫、大連(從英特爾手中收購而來)擁有晶圓廠。

　　SK 海力士在2019年完成第二工廠C2F的建設。隨著C2F項目的持續推進，SK海力士無錫工廠的DRAM芯片產量約為公司整體產量的一半，占全球產量的15%。

　　此外，在2021年SK海力士還將其位于韓國青州的8英寸晶圓代工廠M8遷至了無錫，預計2022年全部投產后將月產11.5萬片8吋晶圓，高于原來韓國M8工廠的10萬片月產能。

　　2022年，SK海力士表示出資2.394萬億韓元(約合人民幣126.7億元)，這批資金將于今年底至2025年用于對無錫DRAM工廠的補充投資。

　　臺積電

　　2004年，臺積電在上海建設8英寸晶圓廠，一期工程月產35000 片8 英寸集成電路芯片。之后，經過擴建其總產能達到110000 片/月。

　　2016年，臺積電確定在南京建設12英寸廠。根據臺積電披露，其南京Fab16廠目前主要制造12nm、16nm工藝的芯片，產能為2萬片/月。此后，臺積電開臨時董事會，宣布計劃斥資28.87億美元(約合人民幣187億元)，在南京擴建28nm芯片生產線，到2023年中期月產能規模達到4萬片。

　　聯電

　　聯電在大陸廈門、蘇州均有晶圓廠。聯電的蘇州晶圓廠為和艦芯片公司，2003年5月正式投產，目前月產量約8萬片，產值占聯電整體合并營收約5%。2014年，艦芯片設立子公司廈門聯芯，開始建設12 英寸晶圓廠，并于2016 年11月投產，其總設計月產能為 50000片，目前月產能接近20000片。

　　總體來看，大陸本土的一些*的晶圓廠由SK海力士、三星、臺積電和聯電所有。目前中國集成電路制造業中，外資和臺資的占比仍然達到70%。

　　02 計劃開始發生變化

　　美國一直在發布對于中國半導體相關的出口管制，其中2022年出臺了兩項影響大陸晶圓廠*的新規。

　　具體來看，美國規定美國企業生產的先進半導體生產設備必須獲得美國商務部的許可證，才能向中國出口。此舉直接限制了位于中國大陸的晶圓制造廠商獲取16/14nm及以下先進邏輯制程芯片、128層及以上NAND閃存芯片、18nm半間距或更小的DRAM內存芯片所需的制造設備的能力。

　　這就包括了三星、SK海力士、臺積電等國際企業在中國大陸的晶圓廠。

　　雖然此前，三星電子與SK海力士均獲得了美國商務部的豁免許可，使得他們一年內位于中國大陸的晶圓廠的生產都將暫時不會受到禁令的影響。但隨著時間流逝，這些晶圓廠也都在早做打算。

　　首先來看三星和SK海力士。三星西安晶圓廠*進的產品為128層3D NAND，SK海力士無錫晶圓廠*進的產品為17nm DRAM。目前在中國大陸晶圓廠*進的技術制程，都超出了美國新規的限制要求。

　　近期，三星電子在中國西安工廠的NAND閃存生產亮起了紅燈。

　　有分析認為，隨著生產NAND閃存的Mother Fab(優先啟用最新工藝的工廠)——平澤工廠和西安工廠技術差距不斷拉大，西安工廠的運營效率相對而言正在降低。換言之，在Mother Fab*投入使用的200層以上最尖端3D NAND技術和工藝難以傳授給西安工廠。

　　據韓國媒體BusinessKorea報道稱，在今年二季度，三星的西安工廠將大幅度將產。就中國西安一廠而言，預計將減產至每月 110,000 片，比 2022 年第四季度的每月 125,000 片減少 12%。此外，西安二廠預計將推出 135,000 片，比之前的 14.5 萬張減少了約 7%。

　　三星電子雖在去年第四季度經營業績電話會議上稱，不會人為減產，但隨著中國半導體工廠工藝升級受阻，預計將出現自然減產的效果。業界人士解釋稱：“NAND價格從去年到今年一直呈走低趨勢，在生產效率競爭中，憑借西安工廠的100層3D NAND勢必會落后于SK海力士、美光等公司”，“三星應該會制定戰略降低西安工廠的比重。”

　　SK 海力士也傳出消息。

　　韓國*的媒體《朝鮮日報》報道，從今年*季度開始到年底，SK海力士決定將*的DRAM生產據點之一的中國無錫工廠晶圓投入量定在每月少于16萬張。該數值相較于去年減少了約10%。

　　在 2023 年第二季度，SK 海力士將晶圓開工量每月減少約 30 %。并且，SK海力士原本劃將其無錫晶圓廠的主流工藝從 1Y 納米過渡到 1Z 納米，從而減少傳統工藝的產量。現在，由于受到美國禁令的限制，該公司轉而選擇增加其 21 納米生產線的份額，專注于 DDR3 和 DDR4 4Gb 產品。

　　臺積電計劃擴產南京廠，在傳出ASML的光刻機受到限制后，也有流言傳出“南京工廠擴產暫停”。不過，前不久在臺積電公布業績報告時，已經回應“臺積電正在按計劃在南京擴展28納米產能，持續恪守所有規章制度以支援客戶。”

　　由于聯電早在2018年就宣布放棄12nm以下先進制程的投資，美國的禁令對聯電在華工廠的投資影響似乎不大。聯電在大陸同比啟動擴產計劃，廈門聯芯的12英寸晶圓廠，產能則已達*階段滿載2.75萬片規模，聯芯目前將以提升一廠營運效率為主，進一步提升28nm產能比例，并進行28nm及22nm特色工藝研發。

　　03 內資企業需要加速了

　　從《全球晶圓產能報告》來看，2021年全球晶圓月產能約為2160萬片200mm當量。而中國大陸的產能約為350萬片每月，計算下來約占全球產能的16%。從地區晶圓產能排名來看，中國大陸的晶圓產能能夠排到第三，緊隨中國臺灣地區。

　　目前看來，中國集成電路制造業在全行業的占比在逐年提高，達到了28.9%;在全球產業中的比重，已經達到了19.9%。但值得關注的是，中國集成電路制造業中，內資占比仍然只有31.1%。

　　此為中國半導體行業協會副理事長葉甜春公布的一張表。從上表中可以看到，2016年-2020年期間，前十大公司中內資晶圓制造企業的銷售收入從364.4億元上漲到567.4億元，但整體占比卻從44%降低到了27.7%。

　　相比之下，外資晶圓制造企業貢獻的銷售收入份額，從2016年的49.1%已經變為了61.3%;臺資企業貢獻的收入占比也從6.9%漲到了11%。這說明雖然內資制造企業也在增長，但是其增速遠遠低于外資企業的增長。

　　好消息是，據葉甜春判斷：“未來可能隨著各地的擴產步伐加快，產能開始投入使用，這個情況會得到扭轉。”

　　雖然 SK 海力士、臺積電和聯電正在擴大他們在中國現有的晶圓廠，但是中國在建的大部分新晶圓廠都歸國內實體所有。

　　作為內資晶圓代工龍頭，中芯國際在半導體行業下行周期中，2022年8月擬在天津投資75億美元建設12英寸晶圓代工生產線項目，規劃產能為10萬片/月。2023年存儲企業擴產好于先前預期，二三線晶圓廠粵芯、晉華、燕東等合計擴產量預計仍有一定增長。