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　　中國NAND Flash行業綜述

　　NAND Flash是一種數據型Flash快閃存儲芯片，具有容量較大，改寫速度快等優點，被廣泛用于固態硬盤和便攜式設備中，垂直溝道3D結構搭配MLC和TLC顆粒類型，是NAND Flash的主要產品類型。

　　NAND Flash結構在1989年由東芝公司首次提出，自此正式開始萌芽期的發展;2000年起，NAND Flash向著細微化、高度集成化的高速發展;近年來， NAND Flash仍在持續探索更高層次的三維堆疊技術。

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　　中國NAND Flash行業現狀

　　NAND Flash憑借其超高性價比逐漸成為主流閃存芯片，預計2025年其市場規模將達到932億美元;2021年全球NAND Flash存儲容量達到了5,750億GB，預計2023年將達到7,320億GB。

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　　NAND Flash芯片單元狀態越密集，每個單元內便可儲存更多信息，四種芯片尺寸隨單元層數的增多而減小，其中SLC讀寫速度最快、使用壽命最久，QLC單位密度更高、成本*。

　　全球NAND Flash廠商主要有三星電子、鎧俠、SK集團、西部數據、美光科技等，行業集中度較高，競爭格局較為穩定;2022年二季度，全球NAND Flash原廠CR5市場份額約為95%，長江存儲約占4%。

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　　為加速行業恢復供需平衡，三星、美光、SK海力士等頭部存儲廠商相繼縮減資本支出并降低產能利用率;西部數據和鎧俠加速合并，目前存儲芯片廠商主動去庫存效果顯著，庫存拐點逐漸顯現。

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　　中國NAND Flash驅動因素與發展趨勢

　　2022年NAND Flash存儲芯片主要以應用于智能手機市場的嵌入式存儲產品、應用于計算機的消費級SSD，以及應用于服務器市場的企業級SSD產品為主，企業級SSD市場需求逐步擴張。

　　2021年，中國智能汽車滲透率增至63.8%，智能汽車數量增至1,512萬臺;隨著更高階輔助駕駛技術的發展，汽車傳感器對數據收集與分析的需求推動NAND Flash等存儲參數需求不斷升級。

　　2018年至今，NAND Flash合約平均價持續震蕩，下游需求萎縮壓力導致部分存儲廠商紛紛開始以價換量清庫存，預計23年Q3 SSD、eMMC、UFS等模組產品有望止跌回升。

　　目前2D NAND正非常接近其縮放極限，難以再實現進一步擴展;3D NAND技術可支持在更小的空間內容納更高存儲容量，進而帶來很大的成本節約、能耗降低，以及大幅的性能提升。

　　2022年底，美光推出232層NAND Flash 產品;三星下一代 3D NAND 產品或將實現236層的堆疊;長江存儲128層NAND Flash良率良率快速爬坡至較高水平，3D NAND進入200層時代。