在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，IDM的發(fā)展勢(shì)頭和行業(yè)影響力似乎越來越弱，而晶圓代工業(yè)務(wù)模式的行業(yè)地位卻在持續(xù)提升。從行業(yè)龍頭廠商的發(fā)展現(xiàn)狀，也可以看出這種發(fā)展態(tài)勢(shì)，眼下，市值最高的兩大半導(dǎo)體企業(yè)，一個(gè)是英偉達(dá)，市值已經(jīng)超過2萬億美元，火爆異常，另一個(gè)是臺(tái)積電，在2022和2023年，英偉達(dá)股價(jià)暴漲之前，臺(tái)積電的市值是半導(dǎo)體企業(yè)里最高的，一度超過7000億美元，后來有所下滑，但現(xiàn)在又恢復(fù)到7000億美元以上。

　　英偉達(dá)和臺(tái)積電是晶圓代工業(yè)務(wù)模式下的典型企業(yè)，一個(gè)設(shè)計(jì)，一個(gè)生產(chǎn)，而且都聚焦先進(jìn)制程工藝，珠聯(lián)璧合，成為當(dāng)下半導(dǎo)體行業(yè)最搶眼的存在。

　　相比之下，老牌的IDM企業(yè)，并穩(wěn)定在各自領(lǐng)域內(nèi)排名前三的企業(yè)，有兩大代表，一個(gè)是英特爾，一個(gè)是德州儀器(TI)，一個(gè)做數(shù)字邏輯芯片，一個(gè)做模擬芯片，這兩家都是各自領(lǐng)域的龍頭。但它們最近今幾年的日子似乎都不太好過，特別是德州儀器，無論是市值，還是營收、利潤，或是業(yè)務(wù)拓展能力，與早些年相比都在下滑，而且裁員不斷。

　　晶圓代工正在全面打壓IDM。也正是因?yàn)槿绱耍�在全球晶圓代工廠商中綜合實(shí)力最強(qiáng)的三家：臺(tái)積電，三星，英特爾，其中的兩家——三星和英特爾——都從IDM進(jìn)入了晶圓代工業(yè)，且投入力度越來越大。

　　01

　　發(fā)展策略各有不同

　　對(duì)于臺(tái)積電、英特爾和三星這三大廠商來說，原來采取的晶圓代工策略各有不同，但近兩年越來越趨同，那就是把越來越多的資源投入到最 先進(jìn)制程工藝技術(shù)上。

　　臺(tái)積電的基調(diào)一直沒變，持之以恒地將晶圓代工業(yè)務(wù)做到極 致，特別是在先進(jìn)制程方面，是臺(tái)積電投入的重點(diǎn)，每年都會(huì)有大量資金砸進(jìn)去，而發(fā)展到10nm的時(shí)候，臺(tái)積電相對(duì)于行業(yè)競(jìng)爭對(duì)手(主要是三星)的優(yōu)勢(shì)越來越明顯，在7nm和5nm制程芯片量產(chǎn)方面，臺(tái)積電形成了對(duì)競(jìng)爭者的碾壓態(tài)勢(shì)，并將這種優(yōu)勢(shì)延續(xù)到了3nm。

　　三星方面，在20nm及以上制程時(shí)代，與臺(tái)積電之間的差距沒有現(xiàn)在這么大，而到了14nm(臺(tái)積電稱為16nm)，三星憑借在制程工藝方面的突破，在這一節(jié)點(diǎn)處壓了臺(tái)積電一頭，但是，這種優(yōu)勢(shì)并沒有持續(xù)太久，臺(tái)積電很快就趕了上來，并在10nm以下制程領(lǐng)域使三星越來越難受。為了追趕臺(tái)積電，三星電子于2017年決定分拆晶圓代工業(yè)務(wù)部門，以尋求更多客戶，特別是行業(yè)大客戶的信賴，但從結(jié)果來看，這樣的分拆并不算成功，或者說，對(duì)于三星這樣在韓國處于巨無霸地位的企業(yè)來說，要想完全將晶圓代工業(yè)務(wù)分拆出來，難度太大。

　　英特爾方面，在上一位CEO的規(guī)劃里，晶圓代工業(yè)務(wù)幾乎被無視掉了，而是將主要精力和資源投入到了核心產(chǎn)品CPU，以及各種新型處理器產(chǎn)品(如手機(jī)處理器和AI處理器)，但從實(shí)際結(jié)果來看，都不理想，在CPU方面，AMD在過去5年里，憑借架構(gòu)和設(shè)計(jì)創(chuàng)新，以及合作伙伴臺(tái)積電的制程優(yōu)勢(shì)，快速逆襲，搶奪了大量原本屬于英特爾的CPU市場(chǎng)份額。與此同時(shí)，GPU在AI領(lǐng)域的重要性不斷凸顯出來，而臺(tái)積電的制程工藝優(yōu)勢(shì)依然發(fā)揮著關(guān)鍵作用，相反，在那段時(shí)期，英特爾并沒有重視GPU市場(chǎng)，錯(cuò)過了最 佳的發(fā)展機(jī)遇期，這也導(dǎo)致該公司在最近幾年大力投入GPU研發(fā)時(shí)，總是有種事倍功半的效果。

　　在新任CEO的帶領(lǐng)下，英特爾大幅調(diào)整了發(fā)展策略，將晶圓代工業(yè)務(wù)放在了頭等重要的位置，幾乎是要All in式的投入，從近兩年以及未來的發(fā)展來看，英特爾的這個(gè)決策還是值得期待的，雖然時(shí)間稍晚了一些，但并沒有錯(cuò)過，發(fā)展結(jié)果如何，估計(jì)5年后可以見分曉。

　　02

　　行業(yè)地位此消彼長

　　總的發(fā)展策略會(huì)導(dǎo)致相應(yīng)的結(jié)果，這在臺(tái)積電、英特爾和三星晶圓代工業(yè)務(wù)上有明顯體現(xiàn)，特別是行業(yè)排名，最為明顯。

　　就近兩年的排名來看，這三強(qiáng)的變化很明顯，臺(tái)積電市占率已經(jīng)提升到60%，三星下滑明顯，英特爾在十 強(qiáng)榜單中進(jìn)進(jìn)出出。

　　前些天，TrendForce發(fā)布了2023年第四季度全球十大晶圓代工廠營收排名榜單，如下圖所示。

　　可以看出，臺(tái)積電的市占率已經(jīng)提升到了61.2%，環(huán)比上升，而三星的市占率為11.3%，環(huán)比下降。英特爾方面，該公司的代工業(yè)務(wù)IFS(Intel Foundry Service)在2023年第三季度歷史首次出現(xiàn)在該榜單中，當(dāng)時(shí)排名第九位。而在第四季度榜單中，英特爾被擠出了前十。

　　2022年第四季度，排名情況基本不變。市占率方面，臺(tái)積電為58.5%，三星的市占率為15.8%，那時(shí)，英特爾還沒有出現(xiàn)在榜單中。

　　2021年第四季度，在榜單中，臺(tái)積電的市占率為52.1%，三星為18.3%，那時(shí)，英特爾也不可能出現(xiàn)在榜單中，因?yàn)樵摴�司是�?021年正式推出IFS服務(wù)的，一切才剛剛開始。

　　綜合以上3年內(nèi)的市占率來看，臺(tái)積電年年穩(wěn)步提升，而三星則正相反。英特爾經(jīng)過兩年的籌備和發(fā)展，在2023年第三季度首次出現(xiàn)在該榜單中，但在第四季度又消失了。這些，從一個(gè)側(cè)面體現(xiàn)出這三家廠商晶圓代工業(yè)務(wù)發(fā)展策略所產(chǎn)生的結(jié)果，即臺(tái)積電從一開始就走純代工模式，最 大化地獲得客戶信任，同時(shí)將先進(jìn)制程發(fā)展到行業(yè)極 致水平，才能將市占率穩(wěn)步提升，三星則介于IDM和純代工模式之間，且在先進(jìn)制程方面未能發(fā)展出行業(yè)頂  尖水平，此消彼長，市占率在下滑。英特爾在榜單上的呈現(xiàn)與消失，則體現(xiàn)出其在業(yè)務(wù)發(fā)展初期的不穩(wěn)定性。

　　03

　　工藝技術(shù)比拼

　　行業(yè)市占率的變化，在很大程度上取決于制程工藝技術(shù)水平的高低。無論是過去還是現(xiàn)在，臺(tái)積電的綜合實(shí)力是最強(qiáng)的，特別是在晶體管密度和能效方面，技術(shù)積累的優(yōu)勢(shì)短時(shí)間內(nèi)難以被超越。不過，最近幾年，英特爾追趕的腳步很快，在解決了困擾多年的10nm制程工藝(在未攻克該節(jié)點(diǎn)之前，英特爾在14nm制程上徘徊了近5年時(shí)間)以后，該公司的制程節(jié)點(diǎn)演進(jìn)速度明顯提升，正在拉近與臺(tái)積電的距離。在這種情況下，三星壓力越來越大，因?yàn)榍坝?臺(tái)積電)堵截，后有(英特爾)追兵，未來，三星的晶圓代工業(yè)務(wù)日子恐怕不好過。

　　最近，TechInsights發(fā)布了一份臺(tái)積電、英特爾、三星制程技術(shù)對(duì)比報(bào)告，主要關(guān)注先進(jìn)制程的晶體管密度、運(yùn)算效能和能耗效率。

　　晶體管密度方面，臺(tái)積電3nm(N3)制程及其強(qiáng)化版N3E，晶體管密度達(dá)到283MTx/mm²(每平方毫米百萬晶體管數(shù))和273MTx/mm²，都高于Intel 18A的195MTx/mm²。Intel 18A采用背面供電技術(shù)(Backside power)，對(duì)降低能耗有一定幫助，但英特爾沒有公布能耗數(shù)據(jù)。總體來看，Intel 18A大幅超越臺(tái)積電3nm性能還是不太可能。

　　三星領(lǐng) 先臺(tái)積電跨入GAA架構(gòu)Nanosheet制程，力圖彎道超車，不過，比較晶體管密度、性能、能耗后，同年內(nèi)，三星的制程工藝都落后于臺(tái)積電，臺(tái)積電晶體管密度約是三星的1.5倍以上，;先進(jìn)制程客戶數(shù)量方面，臺(tái)積電也遠(yuǎn)超三星。

　　還有一點(diǎn)很重要，那就是良率，它直接影響生產(chǎn)成本和客戶認(rèn)可度。

　　自從進(jìn)入5nm制程時(shí)代以來，良率一直是三星晶圓代工業(yè)務(wù)所面對(duì)的最 大問題，特別是在3nm制程節(jié)點(diǎn)上，三星率先引入了全新的GAA架構(gòu)晶體管，與以往使用的FinFET晶體管有較大區(qū)別，也使良率問題進(jìn)一步放大。

　　據(jù)Notebookcheck報(bào)道，目前，三星的3nm工藝良率在50%附近徘徊，依然有一些問題需要解決。三星2023年曾表示，其3nm工藝量產(chǎn)后的良率已達(dá)到60%以上，不過，現(xiàn)在看來，當(dāng)時(shí)過于樂觀了。

　　今年2月，據(jù)韓媒報(bào)道，三星新版3nm工藝存在重大問題，試產(chǎn)芯片均存在缺陷，良率為0%。報(bào)道指出，采用3nm工藝的Exynos 2500芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測(cè)試，導(dǎo)致后續(xù) Galaxy Watch 7的芯片組也無法量產(chǎn)。報(bào)道指出，由于Exynos 2500芯片試產(chǎn)失敗，三星推遲了大規(guī)模生產(chǎn)，目前，尚不清楚是否能夠及時(shí)解決良率問題。

　　為了追趕臺(tái)積電，三星的3nm制程工藝采取了比較激進(jìn)的策略，主要體現(xiàn)在GAA晶體管架構(gòu)上，臺(tái)積電的3nm依然采用FinFET。2nm才會(huì)轉(zhuǎn)向GAA晶體管，激進(jìn)的結(jié)果就是要在良率方面付出一些代價(jià)。

　　當(dāng)年，英特爾的10nm一直難產(chǎn)，最 大的障礙就是多年未解決的良率問題，致使14nm制程被一改再改，才能維持其CPU的更新?lián)Q代。后來，經(jīng)過5年左右的攻關(guān)，終于解決了10nm制程良率問題，那之后，英特爾的制程工藝發(fā)展就顯得順利多了，眼下，Intel 4量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，Intel 3也快了。

　　04

　　制造成本深不見底

　　International Business Strategies(IBS)的分析師認(rèn)為，與3nm處理器相比，2nm芯片成本將增長約50%。

　　IBS估計(jì)，一個(gè)產(chǎn)能約為每月50000片晶圓(WSPM)的2nm產(chǎn)線的成本約為280億美元，而具有類似產(chǎn)能的3nm產(chǎn)線的成本約為200億美元。增加的成本，很大一部分來自于EUV光刻設(shè)備數(shù)量的增加，這將大大增加每片晶圓和每個(gè)芯片的生產(chǎn)成本，而能夠接受如此高成本芯片的廠商，只有蘋果、AMD、英偉達(dá)和高通等少數(shù)幾家。

　　IBS估計(jì)，2025~2026年，使用臺(tái)積電N2工藝加工單個(gè)12英寸晶圓將花費(fèi)蘋果約30000美元，而基于N3工藝的晶圓成本約為20000美元。

　　預(yù)計(jì)三星、英特爾和AMD等公司將在未來幾年加速采用由不同制程節(jié)點(diǎn)制造的小芯片(Chiplet)組設(shè)計(jì)，以降低成本。同時(shí)，智能手機(jī)處理器可能會(huì)在一段時(shí)間內(nèi)保留單片設(shè)計(jì)，因?yàn)橄冗M(jìn)封裝的成本也很高。

　　相對(duì)于三星和英特爾，臺(tái)積電的客戶規(guī)模優(yōu)勢(shì)，可以將成本控制在一定水平內(nèi)。

　　2023年，蘋果公司占臺(tái)積電收入的25%，為其貢獻(xiàn)了175.2億美元營收，英偉達(dá)為臺(tái)積電貢獻(xiàn)了77.3億美元，占其2023年?duì)I收的11%。

　　2023年，臺(tái)積電的前10大客戶占其收入的91%，高于2022年的82%，這些公司包括聯(lián)發(fā)科、AMD、高通、博通、索尼和Marvell。

　　隨著對(duì)AI處理器需求的增加，英偉達(dá)在臺(tái)積電收入中的份額可能會(huì)在2024年增加，該公司已經(jīng)預(yù)訂了臺(tái)積電晶圓代工和CoWoS封裝產(chǎn)能，以確保其用于AI的優(yōu)質(zhì)處理器的穩(wěn)定供應(yīng)。今年，AMD在臺(tái)積電總營收中的份額有望超過10%。

　　有這些大客戶下單，臺(tái)積電就有資本大規(guī)模投資最 先進(jìn)制程，否則，像3nm和2nm這樣燒錢的制程產(chǎn)線，是很難持續(xù)支撐下去的。

　　相對(duì)于臺(tái)積電，三星的良率和出貨量是問題，而對(duì)于初來乍到的英特爾來說，另辟蹊徑是一個(gè)好的選擇，短期內(nèi)盡量避免與臺(tái)積電的最 先進(jìn)制程正面交鋒，還是要找一些技術(shù)和應(yīng)用突破點(diǎn)，爭取穩(wěn)定住產(chǎn)能、良率和客戶。在過去的一年里，英特爾已經(jīng)在做類似的事情了，如扶持RISC-V的發(fā)展，與聯(lián)電合作開發(fā)制程工藝等。

　　05

　　結(jié)語

　　在2023年12月舉行的IEEE國際電子元件峰會(huì)(IEDM)上，臺(tái)積電表示，將在2nm后推出1.4nm制程，預(yù)計(jì)在2027~2028年量產(chǎn)，按照計(jì)劃，其2nm將在2025年量產(chǎn)。

　　三星緊追臺(tái)積電，對(duì)外宣布計(jì)劃2027年推出1.4nm。

　　英特爾CEO基辛格則表示，該公司將在今后4年內(nèi)推出5個(gè)制程節(jié)點(diǎn)，目前進(jìn)展一切如預(yù)期。目前，Intel 7已進(jìn)入量產(chǎn)階段，Intel 4現(xiàn)已量產(chǎn)準(zhǔn)備就緒，Intel 3也會(huì)按計(jì)劃于今年底推出，Intel 20A已經(jīng)試產(chǎn)，很可能用于生產(chǎn)2025年推出的Arrow Lake處理器，Intel 18A將在2025下半年量產(chǎn)。

　　從這三家的先進(jìn)制程發(fā)展情況來看，決勝戰(zhàn)很可能出現(xiàn)在1nm~2nm制程節(jié)點(diǎn)上，那時(shí)，成本、晶體管效能和功率效率方面，臺(tái)積電的優(yōu)勢(shì)恐怕會(huì)弱于現(xiàn)在，三星和英特爾會(huì)有更多機(jī)會(huì)。