三星半導體宣布，通過結構創新，實現了基于MRAM(磁阻隨機存取存儲器)的內存內計算(In-Memory Computing)，進一步拓展了三星的下一代低功耗人工智能芯片技術的前沿領域。

　　在傳統的計算體系中，內存中的數據要轉移到處理芯片的數據計算單元中進行處理，對于帶寬、時延要求非常高。

　　內存內計算則是一種新的計算模式，也可以叫做“存算一體化”，在內存中同時執行數據存儲、數據計算處理，無需往復移動數據。

　　同時，內存網絡中的數據處理是以高度并行的方式執行，因此提高性能的同時，還能大大降低功耗。

　　對比其他存儲器，MRAM磁阻內存在運行速度、壽命、量產方面都有明顯優勢，功耗也遠低于傳統DRAM，關鍵是還具有非易失的特點，即斷電不會丟失數據。

　　不過一直以來，MRAM磁阻內存很難用于內存內計算，因為它在標準的內存內計算架構中無法發揮低功耗優勢。

　　三星研究團隊設計了一種名為“電阻總和”(resistance sum)的新型內存內計算架構，取代標準的“電流總和”(current-sum)架構，成功開發了一種能演示內存內計算架構的MRAM陣列芯片，命名為“用于內存內計算的磁阻內存交叉陣列”(crossbar array of magnetoresistive memory devices for in-memory computing)。

　　這一陣列成功解決了單個MRAM器件的小電阻問題，從而降低功耗，實現了基于MRAM的內存內計算。

　　按照三星的說法，在執行AI計算時，MRAM內存內計算可以做到98％的筆跡識別成功率、93％的人臉識別準確率。