當(dāng)前的供應(yīng)緊張主要源于舊款內(nèi)存芯片的短缺。為滿足人工智能(AI)領(lǐng)域的龐大需求，三星、SK 海力士等主要制造商正將產(chǎn)能優(yōu)先分配給更先進(jìn)的芯片，這直接導(dǎo)致了舊款 LPDDR4 內(nèi)存的供應(yīng)緊張。
這種產(chǎn)能轉(zhuǎn)移已引發(fā)市場價(jià)格倒掛的異�，F(xiàn)象：用于服務(wù)器和個(gè)人電腦的較新 DDR5 內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)約為每吉比特(Gb)1.50 美元，而廣泛用于低端消費(fèi)電子產(chǎn)品的舊款 LPDDR4 價(jià)格卻高達(dá) 2.10 美元，甚至超過了先進(jìn)的 HBM3e 內(nèi)存。
報(bào)告強(qiáng)調(diào)，一個(gè)更廣泛且長期的風(fēng)險(xiǎn)正在浮現(xiàn)，其核心驅(qū)動(dòng)力是芯片巨頭英偉達(dá)(NVIDIA)的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型。傳統(tǒng)上，服務(wù)器為保證數(shù)據(jù)可靠性，普遍采用具備錯(cuò)誤糾正碼(ECC)功能的 DDR 內(nèi)存。
然而，英偉達(dá)為降低功耗，正轉(zhuǎn)向在服務(wù)器產(chǎn)品中大規(guī)模采用 LPDDR 內(nèi)存，并計(jì)劃通過 CPU 層面處理錯(cuò)誤糾正。研究總監(jiān) MS Hwang 指出，這一轉(zhuǎn)變使英偉達(dá)的需求規(guī)�？氨纫患掖笮椭悄苁謾C(jī)制造商，對現(xiàn)有供應(yīng)鏈而言，這是一場難以迅速消化的“地震級”變革。
這一系列連鎖反應(yīng)的最終影響將廣泛波及整個(gè)消費(fèi)電子生態(tài)系統(tǒng)。高級分析師 Ivan Lam 表示，最初的沖擊主要影響采用 LPDDR4 的低端智能手機(jī)制造商，但“陣痛”很快會蔓延。
報(bào)告預(yù)測，中高端智能手機(jī)的物料清單(BoM)成本可能因此增加超過 25%，這將嚴(yán)重侵蝕制造商的利潤空間，或迫使企業(yè)上調(diào)產(chǎn)品售價(jià)，從而影響市場增長。在產(chǎn)能受限與價(jià)格飆升的雙重壓力下，整個(gè)行業(yè)將面臨艱難的權(quán)衡與抉擇。
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