6 月 29 日消息，據 BusinessKorea 報道，三星電子將于 6 月 30 日開始批量生產基于全環繞柵極(GAA)技術的 3 納米半導體。

　　報道稱，三星電子將于 6 月 30 日正式宣布大規模生產基于 GAA 的 3 納米半導體。GAA 晶體管結構優于目前的 FinFET 結構，因為它可以減少芯片尺寸和功耗。

　　如果消息屬實的話，那么三星電子將搶先臺積電和英特爾量產 3 納米芯片，后兩家公司分別計劃在今年下半年和明年下半年開始大規模生產 3 納米芯片。

　　今年早些時候，一些行業觀察家提出擔心，由于產量低的問題，三星電子可能推遲 3 納米半導體的大規模生產。然而，這些擔憂被證明是毫無根據的。

　　在競爭激烈的 3nm 制程工藝方面，三星電子和臺積電的技術路線并不相同，三星電子率先采用全環繞柵極(GAA)晶體管，臺積電則是繼續采用鰭式場效應晶體管(FinFET)架構。三星電子此前曾表示，采用全環繞柵極晶體管技術的 3nm 制程工藝，同當前的鰭式場效應晶體管架構相比，性能將提升 30%，能耗降低 50%，邏輯面積效率提升超過 45%。