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    存儲芯片大廠又一次豪賭

    2022年09月16日 14:58:45 來源:微信公眾號:半導體行業觀察

      過去兩年,缺芯潮和漲價潮此起彼伏,席卷全球。進入2022年,曾經火熱的終端市場開始逐漸冷卻。

      尤其二季度以來,全球經濟在俄烏沖突、疫情重燃、貿易制裁等一系列黑天鵝事件沖擊下,下行風險加劇,通脹、債務、裁員等詞匯頻繁出現,不斷強化著人們的危機意識。

      在此宏觀背景下,近期智能手機、PC等消費電子產業鏈下調出貨預期,上游芯片供應商削減訂單的消息更是不絕于耳,行業進入低迷態勢。

      隨著消費電子需求的衰退,讓芯片產業從2021年的“一芯難求”走向了產能再調整階段。其中,存儲芯片作為行業風向標,受終端需求影響,率先走向下行周期。

      以DRAM的價格為例,據TrendForce預估,2022年第三季DRAM價格將下跌3-8%,server DRAM將再下跌0-5%,Mobile DRAM跌幅擴大至3-8%,graphics DRAM價格仍小跌0-5%,Consumer DRAM中DDR3與DDR4價格將季減3-8%。

      針對NAND市場,TrendForce預計第三季度隨著供給過剩議題持續發酵,供應鏈積極去化庫存引發拋貨,此舉將進一步引發原廠競價走跌。NAND合約價預計將由原先預估的15-20%,擴大至30-35%。

      且由于產業傾向于第四季與后續第一季合并議價,在庫存攀高、需求急凍的情況下,跌幅持續擴大的可能性仍在,第四季NAND wafer恐再下跌20%。

      多因素沖擊存儲市場

      首先,消費市場需求疲軟是最沖擊存儲芯片的最大因素之一。

      消費電子市場的下滑,使得包括存儲芯片在內的整個半導體市場的出貨量都有所收縮。

      另一方面,在缺芯成為關鍵詞的前兩年,存儲巨頭們紛紛選擇擴建提高產能,如今面對需求疲軟,供過于求的態勢使得存儲市場的不景氣不難理解。但本輪市場下行不僅是因為供過于求,結構性缺貨是存儲產品銷量下滑的另外一個重要原因。

      9 月初,三星聯席首席執行官兼半導體部門負責人Kyung Kye-hyun表示:“今年下半年看起來很糟糕,截至目前,明年存儲市場似乎并沒有顯示出明顯的增長勢頭。

      SK海力士也示警,存儲器行情最快要到2024年才會開始好轉,并于2025年彈升。

      美光預計2022年DRAM和NAND的同比增長均會低于長期的年復合增長率。

      中國臺灣存儲廠商南亞科同樣預測保守,DRAM市場受到高通脹、俄烏戰爭、疫情封控及消費者購買力下滑等不確定因素影響,需求正在減弱,導致第三季度旺季不旺。

      在這些預警之下,行業廠商開始采取應對舉措。

      今年7月,韓國存儲芯片制造商SK海力士宣布,將無限期推遲投資33億美元新建存儲芯片工廠(M17工廠)的所有擴張計劃。據業內人士透露,之所以決定暫停生產,可能是由于成本上升以及市場對芯片的需求放緩,而目前存儲器庫存水平又較高,導致了SK海力士董事會無限期推遲擴建計劃。

      對于M17新工廠建設計劃,SK海力士透露,將綜合考慮半導體市場等經營環境后再決定開工時間。

      當然,面對終端市場銷售的持續低迷,減少投資或項目叫停的半導體企業不止SK海力士一家。

      面臨NAND業務驟然降溫的窘境,西部數據執行長David Goeckeler 12日在舊金山舉辦的高盛科技論壇上也警告稱,過去一個月,基于NAND的儲存裝置報價嚴重下滑,而NAND需求也同步降溫。這將很可能會延后下一座NAND工廠的建廠時間。

      Goeckeler同時表示,超大規模云端客戶的態度轉趨謹慎,中國環境仍充滿挑戰,目前看不到回溫跡象。

      能夠看到,有部分存儲芯片原廠或將采取減產收縮產能和暫停建廠計劃等方法應對低迷市況。然而,有業內人士分析,原廠減產或暫停將帶來高昂的成本壓力,不符合企業的實際利益。綜合分析下,當前唯有保住市場份額才是各大原廠的當務之急。

      存儲大廠“逆勢而為”

      盡管有廠商選擇叫停新廠計劃,但存儲市場整體表現的低迷,也沒能拖住大多數存儲大廠擴張的步伐。

      三星

      據外媒報道,三星位于韓國平澤的P3生產線近日已經開始運營,這是三星電子有史以來建造的最大的芯片工廠。

      三星宣布將在該工廠生產先進的NAND閃存芯片。如今,三星平澤園區已成為公司最重要的半導體制造中心,這里的各種制造設施可用于制造從14nm DRAM到5nm制程工藝以下的各種芯片產品。

      據了解,P3 生產線配備了荷蘭芯片設備制造商ASML的極紫外 (EUV) 光刻機,這對于制造先進芯片至關重要。在平澤290萬平方米的園區內,三星電子將繼續增添設施。同時,三星已經開始準備開辟另一條新生產線 P4,以進一步提高其生產能力。

      在發布會上,三星設備解決方案部門的首席執行官兼總裁Kyung Kye-hyun表達了悲觀的態度:“隨著全球經濟放緩和企業收緊支出,芯片行業已進入下行周期并面臨各種挑戰。我看不到下半年和明年的良好勢頭,但我們將努力把這場危機變成一個好機會。為了實現這一目標,無論經濟形勢如何,投資都至關重要。”

      “在下行周期中減少投資可能會導致糟糕的結果,但持續的投資是正確的方式。” Kyung補充道。

      目前三星在韓國有5座半導體工廠,分別位于器興、華城、平澤、溫陽和天安。此外,三星還在中國蘇州、天津和西安運營著3座半導體工廠,在美國德州奧斯汀也有一家半導體工廠。除此之外,三星目前正在德州奧斯汀建造另一家半導體工廠,該工廠投資高達170億美元。

      美光

      為滿足不斷增長的市場需求和保持自身競爭優勢,美光于去年10月宣布,未來十年將投入1500億美元用于生產和研發支出,并評估在各地的設廠規劃。

      今年以來,市場不斷傳出半導體產業鏈供應趨于緩解的消息。其中,消費電子應用市場需求疲軟,存儲器產業也因此受到波及。

      此前,美光也曾表示,行業需求環境有所減弱,預計智能手機銷量將較去年下降約5%,而個人電腦銷量可能比去年下降10%,美光正在調整產量增長,以適應需求的減弱。

      不過,雖然未來行業前景不確定性增加,但美光的投資步伐仍穩步前行。此前美光于8月9日宣布在2030年底前投資400億美元,在美國分多個階段建立領先的存儲器制造業務。該投資正是去年宣布的1500億美元投資計劃的一部分。

      9 月1 日,美光宣布計劃在2030年之前,投資約150億美元,在美國愛荷華州新建一個晶圓廠,用于生產先進的邊緣存儲器。

      這將是20年來美國本土首家存儲芯片廠,也是美國愛達荷州有史以來最大私人企業投資計劃。美光稱,該項投資將確保DRAM和NAND的國產化,因為大部分的DRAM和NAND產自亞洲。有市場人士指出,此決定是在總統拜登簽署《芯片與科學法案》后提出的,有望獲得該法案提供的補貼,另外愛達荷州獎勵措施也發揮重要作用。

      新的存儲芯片工廠生產的產品將用于汽車、數據中心、AI、5G等領域。美光CEO Sanjay Mehrotra表示,新的存儲芯片廠將推動美國爭取技術領先地位,確保可靠的國內半導體供應,對經濟和國家安全至關重要。

      SK海力士

      當前,世界經濟蕭條和供應鏈不穩定,存儲器半導體的需求正在急劇減少。上文提到,面對終端市場銷售的持續低迷,SK海力士叫停了M17工廠建廠進展。

      不過,由于存儲器半導體市況變動周期呈縮短趨勢,專家預測,存儲器市況將從2024年開始逐漸恢復,并于2025年開始回升,與過去幾年相比,業務的周期性波動性將降低。為準備迎接下一個存儲市場的繁榮期,SK海力士也在持續加大布局力度。

      據SK海力士官網信息顯示,計劃將在今后5年內投資15萬億韓元(約合109億美元)建設M15X工廠并引進生產設備。據悉,M15X的建設將于10月開始,預計2025年初竣工,其規模與現有的清州M11和M12兩座工廠的總和相近。

      M15X的投資決定是在存儲行業進入下行周期時宣布的,為配合未來存儲器半導體市場的反彈,適時增加供應量,M15X新晶圓廠正在為未來的增長做準備,是SK海力士在經濟低迷時期為未來增長奠定基礎而作的投資。

      回溯SK海力士以往的逆勢投資歷史,SK海力士在2012年底經歷了一個成功的轉折,與2011年相比,其投資增加了10%以上。2012年,半導體行業普遍存在減少投資的氛圍,SK海力士度過了艱難的一年。2015年,它又果斷地在利川建立了M14工廠,并最終從2017年起連續兩年實現了有史以來最好的經營業績。

      除了暫緩的M17廠和新規劃的M15X工廠,SK海力士在清州中心的廠區還包括M11、M12和M15三座存儲芯片工廠。

      此外,SK海力士在韓國利川設有DRAM生產廠,在中國無錫、重慶和大連設有生產廠。

      今年5月,SK海力士非易失性存儲器制造項目在遼寧大連開工,該項目將建設一座新的晶圓工廠,生產非易失性存儲器3D NAND芯片產品。

      其他廠商

      此外,DRAM大廠南亞科斥資3000億新臺幣計劃新建12英寸廠。根據南亞科規劃,12英寸新廠落腳新北市泰山南林科學園區,目標2025年開始裝機量產,采用10nm制程技術生產DRAM,月產能約4.5萬片。

      中國大陸方面,長江存儲和長鑫存儲也在積極規劃產能,加大投資布局力度。

      根據長江存儲產能規劃,2022年底預計總產能為每月15萬片,到2025年預計每月總產能30萬片。憑借其新的投資,長鑫存儲的計劃是到 2022 年將晶圓產量翻一番,達到每月12萬片,中長期目標為30萬片。

      天風證券指出,國內存儲原廠積極擴產以期以進一步縮小與三星、美光等先進企業的產能差距,占領國內市場份額。近期長江存儲、長鑫積極推進擴產,產能擴張+工藝改進對于前驅體、靶材等的需求將同步成倍增長,為國產各類材料廠商提供強勁成長機遇。

      如此態勢之下,存儲產業作為供應和需求不斷博弈的強周期性行業,多數存儲大廠并未放慢投資擴產的腳步。

      市場低迷之下,投資步伐為何不減?

      究其原因,可以從市場角度和戰略層面來尋找答案。

      市場層面:結構性緊缺,試圖搶占先機

      當前,存儲市場遇冷已是不爭的事實,臺積電在最新財報中對半導體的預測也提到了存儲市場遇冷。

      但深入觀察能夠發現,包括存儲芯片在內的芯片產業,正在從全面緊缺轉向結構性緊缺。

      當前,在半導體下游的終端市場中,雖然移動、PC等消費市場呈現出疲軟態勢,但云、服務器、高性能運算、車用與工控等領域結構性增長需求不減,據公開信息顯示,四大云端巨頭亞馬遜、谷歌、Meta和微軟預計將在全球30個新地區建設數據中心。半導體市場呈現結構化增長的特征,為存儲原廠業績增長提供了堅實后盾。

      盡管存儲市場需求近期疲軟,但長期需求趨勢依然強勁,數字化的浪潮已經不可逆轉,存儲市場長久來看必然是向更高更大的格局邁進。

      在此情形下,原廠再次祭出“反周期”操作,加大產出力度,繼續以價換量,試圖搶占先機。

      戰略層面:“反周期”操作,決勝新一輪周期回轉

      存儲芯片是一個市場周期波動性比較大的行業,在經濟周期的不同階段,企業投資的節奏是不同的,需要順勢而為。通常情況下,就是要在蕭條的時候就要減少投資甚至砍掉部分產線,復蘇的時候擴大投資。

      然而,在存儲產業發展進程中,三星曾多次逆勢而為,充分利用了存儲器行業的強周期特點,在市場下行周期進行投資擴產,最終成就了當前三星在存儲產業的龍頭地位。

      以三星為例,一起來看一下曾經在存儲領域多次使用“逆周期投資”策略,成就了世界級半導體巨頭的故事。

      回顧存儲芯片發展歷程,上世紀70年代,美國IBM公司發明了第一塊DRAM 芯片,隨后英特爾推出第一款商用DRAM 芯片。后來,日本對DRAM芯片進行了品質提升和技術創新,成為DRAM主要供應國。

      鼎盛時期,NEC、東芝、日立等日本巨頭占據了全球半導體企業排名前三位,并一度擁有DRAM行業90%的市場份額。

      反觀韓國,既沒有美國近百年的技術積淀,也沒有日本健全的工業體系,短短四十年,為什么韓國可以在半導體這個新興產業實現彎道超車?重要原因就在于韓國在每一次行業低谷期精準地實施了逆向投資。

      第一次逆向投資:20世紀80年代,DRAM市場不景氣,價格迅速下滑,從1984年初的4每片4美元下降到1985年的30美分,英特爾由于DRAM虧損嚴重直接退出了該市場,關閉生產DRAM的七座工廠。日本企業也開始大幅度減少資本開支。

      此時,韓國的三星剛剛推出64K DRAM,生產成本是1.3美元/片。面臨行業的不景氣,三星開始采用逆向投資,繼續擴大產能,并開發更大容量的DRAM。到1986年底,三星半導體累積虧損3億美元,股權資本完全虧空。

      整個集團半只腳已經踏上破產的門檻,連續三年來財政赤字已經高達數千億韓元。就在企業生死存亡之際,韓國政府現身“救市”,總共投入近3.5億美金,并且以政府背書拉動了20億美元的個體募資。

      在韓國政府的解救過程中,世界半導體終于熬過下行周期。當然,其中也有日美簽署半導體協議的原因,日本讓出了巨大市場。90年代,三星一舉超過日本企業,成為全球第一大存儲芯片制造商。

      三星的第一次反周期投資已經成為半導體界的一段傳奇故事。

      第二次逆向投資:20世紀90年代,日本經濟低迷。到了1993年,全球半導體市場又開始轉弱,三星第二次采取反周期的投資策略,投資興建8英寸硅片生產線來生產DRAM。在韓國廠商的擠壓下,日本政府不得不整合日立、NEC、三菱的DRAM業務,組建“國家隊”爾必達,以應對韓國的反擊。

      第三次逆向投資:2008年,金融危機爆發,DRAM價格雪崩,從2.25美元狂跌至0.31美元。就在眾廠商哀鴻遍野時,三星第三次舉起了“反周期”屠刀,決定將三星電子總利潤的118%投入DRAM擴張業務,故意加劇行業虧損,給艱難度日的對手們,壓上最后一根稻草。

      很快,DRAM價格跌破現金成本,接著更是跌破材料成本。當年排名第三的德系廠商奇夢達成為倒在2009年春天的第一個大廠。自此,歐洲玩家正式退出DRAM 市場。2012年初,曾經的DRAM頭部廠商爾必達也支撐不下去了,宣布破產,曾經占據DRAM市場50%以上份額的日本,也輸掉了最后一張底牌。

      三次完美的逆向投資和慘烈的存儲激戰,三星浴火重生,鳳凰涅槃,最終稱霸半導體行業。

      三星認為,穩定的投資方式比依賴市場起伏的方式更合適公司運營,在存儲芯片價格下行周期擴張的好處在于無需與他人爭搶芯片制造設備,此時的芯片制造設備價格又低,只要熬過去,那么就能成為贏家,結果三星用10多年時間成為全球最大的存儲芯片企業,

      總結來看,三星充分利用了存儲器行業的強周期特點,在價格下跌、生產過剩、其他企業削減投資的時候,逆勢瘋狂擴產,通過大規模生產進一步下殺產品價格,從而逼競爭對手退出市場甚至直接破產,世人稱之為“逆周期投資”。

      也正是有了這樣的經驗和教訓,如今面對低迷的市場現狀,存儲大廠們才不敢有絲毫大意,一方面要提防競爭對手再次上演“三星奇跡”;另一方面,都想重新復制三星的逆周期擴張模式,力求鞏固或加強自身在全球存儲市場的地位。

      寫在最后

      逆周期投資,這看似矛盾的供需關系背后,實則蘊含著半導體廠商對于產業方向和競爭格局的重要考量,并非一時上頭的激情之舉。

      星星之火,可以燎原,沒有人可以永遠躺在過去的功勞簿上。如果在行情下跌的時候不愿投資,那么在存儲周期回轉的時候,又怎么能獲得產能,怎么有機會實現超越領跑。

      臺積電總裁魏哲家表示,未來是下滑的周期,但并非大幅下降。因此不必畏懼存儲市場會變天,笑到最后才是真英雄。

      能夠看到,目前加入投資擴產行列的大多屬于頭部廠商,他們擁有技術領先優勢和強大定價能力,可以憑借可持續的客戶訂單優勢、多元化的產能供給等,從規模較小的廠商手中搶走市占率。因此,對于未來不明朗的市場態勢,大廠擴產除了能進一步提高芯片產量和規模,也不失為一種提升自身競爭力和領先優勢的商業策略。

      2022年,存儲巨頭們又在上演新一輪的豪賭。

      文章內容僅供閱讀,不構成投資建議,請謹慎對待。投資者據此操作,風險自擔。

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