1 月 22 日消息，消息源 DigiTimes 今天(1 月 22 日)發(fā)布博文，報道稱三星電子否認了關(guān)于重新設(shè)計其第五代 10nm 級 DRAM(1b DRAM)的報道。

　　IT之家昨日援引 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部為應(yīng)對其 12nm 級 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品面臨的良率和性能雙重困局，已在 2024 年底決定在改進現(xiàn)有 1b nm 工藝的同時從頭設(shè)計新版 1b nm DRAM。

　　市場觀察人士認為，三星修改 1b DRAM 設(shè)計的決定源于競爭壓力。SK 海力士和美光已在 HBM 中采用 1b DRAM，而三星仍在使用之前的 1a DRAM。

　　此外，據(jù)報道，三星啟動了名為“D1b-p”的開發(fā)項目，旨在提高其 DRAM 業(yè)務(wù)的競爭力，“p”代表“prime”，象征著卓越的品質(zhì)，該項目重點關(guān)注提高電源效率和散熱性能。

　　盡管三星是全球 DRAM 領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，但目前正面臨來自 SK 海力士和美光的挑戰(zhàn)。這兩家公司都已成功商業(yè)化 1b DRAM，SK 海力士甚至在 2024 年 8 月率先完成了 1c DRAM 的開發(fā)。

　　有消息稱，三星 Galaxy S25 系列智能手機即將發(fā)布，美光將成為其主要的移動 DRAM (LPDDR5) 供應(yīng)商。這被認為是由于三星尚未完全解決 1b LPDDR5X 的良率和散熱問題。

　　三星通過該媒體予以否認，稱相關(guān)報道不準(zhǔn)確。此次事件引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注，凸顯了存儲芯片市場競爭的激烈程度。

　　盡管三星否認了重新設(shè)計的報道，但業(yè)內(nèi)人士透露，三星的目標(biāo)是提升 1b DRAM 的性能和良率。據(jù)稱，重新設(shè)計涉及工藝調(diào)整，成本高昂且復(fù)雜，三星已緊急訂購設(shè)備，計劃在 2024 年底前完成安裝和測試，更新后的 1b DRAM 預(yù)計將于 2025 年第二或第三季度量產(chǎn)。