2025年2月，三星電子宣布其最新旗艦機(jī)型Galaxy S25系列將搭載美光(Micron)的LPDDR5X內(nèi)存和UFS 4.0存儲(chǔ)芯片，而非傳統(tǒng)的三星自研產(chǎn)品，這一決策打破了三星旗艦機(jī)型長(zhǎng)期采用全套自家組件的慣例，引發(fā)業(yè)界對(duì)技術(shù)路線、供應(yīng)鏈管理及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局的廣泛討論。

　　三星自研的LPDDR5X DRAM雖然在速率(10.7 Gbps)和能效(25%提升)上優(yōu)于美光(9.6 Gbps)，但其制程工藝遭遇良品率問(wèn)題，無(wú)法滿足旗艦機(jī)型對(duì)穩(wěn)定性的要求，相比之下，美光的產(chǎn)品雖性能稍遜，但成熟度高且已通過(guò)多款旗艦機(jī)型驗(yàn)證，成為更穩(wěn)妥的選擇。

　　有消息稱，三星半導(dǎo)體部門(mén)與移動(dòng)部門(mén)長(zhǎng)期存在資源爭(zhēng)奪。半導(dǎo)體部門(mén)因代工業(yè)務(wù)虧損，試圖通過(guò)向手機(jī)部門(mén)高價(jià)銷售內(nèi)存芯片“回血”，但遭到后者的強(qiáng)烈抵制，最終，手機(jī)部門(mén)以“用戶體驗(yàn)優(yōu)先”為由，選擇與美光合作以降低成本并確保性能穩(wěn)定。

　　盡管三星從未對(duì)內(nèi)斗一事做出過(guò)解釋，但從這一事件來(lái)看，無(wú)疑坐實(shí)了這一傳聞的真實(shí)性。

　　三星手機(jī)與自家芯片廠的博弈暴露了單一供應(yīng)鏈的風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)而言，多有“照鏡子”的啟發(fā)意義，同時(shí)也告訴我們，只要加快自主研發(fā)，未來(lái)也許真有機(jī)會(huì)進(jìn)入到以往不可想象的供應(yīng)鏈中去，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)已在NAND Flash和DRAM領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)突破，如232層NAND、16nm DDR5，一旦貿(mào)易壁壘被打破，逐步替代美光、三星等國(guó)際廠商的份額也并非不可能。

　　事實(shí)上，三星與美光的供應(yīng)鏈調(diào)整，已經(jīng)為中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)創(chuàng)造出了窗口期。美光在中國(guó)大陸的封測(cè)廠受管制影響較小，但其晶圓供應(yīng)仍依賴國(guó)際物流，國(guó)產(chǎn)廠商可通過(guò)本土化服務(wù)搶占中低端市場(chǎng)。

　　從更宏觀的角度來(lái)看，盡管三星手機(jī)棄用自家內(nèi)存有內(nèi)斗嫌疑，但本質(zhì)上還是是技術(shù)迭代、供應(yīng)鏈博弈與市場(chǎng)策略共同作用的結(jié)果——假如三星半導(dǎo)體的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)了高良率，恐怕他們的內(nèi)斗也就缺乏了充分條件。

　　電科技認(rèn)為，對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)而言，這既是警示，更是機(jī)遇，通過(guò)技術(shù)突破、生態(tài)協(xié)同與市場(chǎng)拓展，逐步打破國(guó)際壟斷，實(shí)現(xiàn)從跟跑到領(lǐng)跑的跨越。未來(lái)，隨著AI、5G等技術(shù)的深化，中國(guó)存儲(chǔ)企業(yè)有望在全球競(jìng)爭(zhēng)中占據(jù)更重要的位置。