據韓媒FNnews報道，三星電子近日在其華城園區引入了ASML生產的High NA極紫外光刻(EUV)設備，旨在提升2納米及以下制程的競爭力。ASML的High NA EUV設備“EXE:5000”是全球唯一能夠提供此類設備的供應商，單臺價格高達5000億韓元。該設備通過增大透鏡和反射鏡尺寸，將數值孔徑(NA)從0.33提升至0.55，顯著提高了光刻精度，是2納米及以下制程的必備工具。

　　與現有EUV設備相比，High NA EUV能夠實現更窄的電路線寬，從而降低功耗并提升數據處理速度。三星自去年起已開始評估該設備的工藝應用，計劃在完成設備安裝后，全面構建2納米工藝生態系統。三星晶圓代工業務部負責人韓鎮萬強調，盡管公司在環繞柵極(GAA)工藝轉換上領先，但在商業化方面仍需加速，2納米工藝的快速量產是其首要任務。

　　全球半導體巨頭紛紛加速引入High-NA EUV設備，英特爾在2023年率先采購了ASML的首臺High-NA EUV設備，并已簽訂合同購買總計6臺。英特爾的前兩臺High-NA EUV設備已投入生產，每季度可處理3萬片晶圓。