意法半導體與英諾賽科近日宣布簽署氮化鎵(GaN)技術開發與制造協議，旨在通過合作提升功率解決方案的競爭力及供應鏈韌性。雙方將共同開發氮化鎵功率技術，并推動其在消費電子、數據中心、汽車和工業電源系統等領域的應用。根據協議，兩家公司將實現產能互補，利用各自在全球的制造資源生產氮化鎵晶圓。

　　意法半導體APMS總裁Marco Cassis表示，此次合作將充分發揮IDM模式的優勢，加速氮化鎵技術部署并完善產品組合。英諾賽科董事長駱薇薇則強調，氮化鎵技術對實現高效、低功耗的電子系統至關重要。雙方的戰略合作將進一步擴大氮化鎵技術的應用范圍，共同開發下一代技術，滿足多樣化客戶需求。