12月20日消息，路透社報道稱，三星電子表示，已經(jīng)開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。第二代10納米級芯片比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

　　三星在公開聲明中稱，“第二代10納米級8Gb DRAM芯片的功耗和數(shù)據(jù)處理性能均改善，將用于云計算中心、移動設(shè)備和高速顯卡等高端數(shù)據(jù)處理電子產(chǎn)品。另外將在2018年把多數(shù)現(xiàn)有DRAM生產(chǎn)轉(zhuǎn)為10納米級芯片。該公司在電腦芯片、電視和智能手機行業(yè)全球領(lǐng)先。

　　三星電子記憶芯片部門(Memory Business)總裁Gyoyoung Jin稱，這一“積極的”生產(chǎn)擴張，將“適應(yīng)市場的旺盛需求。”

　　另外，英特爾以及AMD已經(jīng)驗證通過了第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM內(nèi)存芯片。

　　對于普通消費者來說，此舉還意味著，老款以及更老的工藝的內(nèi)存成本和最終價格將有望下探。也就是說內(nèi)存/SSD的基礎(chǔ)產(chǎn)能從明年將得到極大的滿足，最終帶動價格下探。