1月15日消息，瑞薩電子宣布以每股 5.10 美元、總額 3.39 億美元(約 24.34 億元人民幣)收購美國氮化鎵(GaN)功率半導體供應商 Transphorm,，相比 1 月 10 日的收盤價溢價約 35%。

　　官方表示，此次收購將使瑞薩獲得 GaN 內部技術，從而擴展其在電動汽車、計算(數據中心、人工智能、基礎設施)、可再生能源、工業電源以及快速充電器 / 適配器等快速增長市場的業務范圍。

　　GaN 可實現更高的開關頻率、更低的功率損耗和更小的外形尺寸，從而實現更高效、更輕的結構以及更低的總體成本。根據行業研究，GaN 的需求預計每年將增長 50% 以上。

　　瑞薩表示，他們將采用 Transphorm 的汽車級 GaN 技術來開發新的增強型電源解決方案，例如用于電動汽車的 X-in-1 動力總成解決方案，以及面向計算、能源、工業和消費應用的解決方案。

　　瑞薩電子還表示，隨著全球對高效電力系統的需求不斷增加，相關產業正在向以碳化硅(SiC )和 GaN 為代表的寬禁帶(WBG )材料過渡。

　　在此背景下，瑞薩宣布已建立一條內部 SiC 生產線，并簽署了為期 10 年的 SiC 晶圓供應協議。