3 月 8 日消息，據韓媒 etnews 近日報道，三星電子正與應用材料合作，以降低其 4nm 工藝中 EUV 光刻的用量。

　　相比傳統 DUV 技術，EUV 光刻可實現更高的圖案化精度，但相對應的，也更昂貴。

　　而對于尖端半導體，晶圓廠越來越多地使用 EUV 雙重圖案化來實現小于單次 EUV 光刻分辨率限制的芯片特征，以優化芯片面積，而這意味著整體成本的成倍增加。

　　據報道，三星正在 4nm 制程上評估應用材料的 Centura Sculpta 系統，以縮短工藝流程，降低成本。

　　該系統于去年初發布，實現了一項名為圖案塑形的新功能。

　　▲  應用材料 Centura Sculpta 圖案塑形系統

　　圖案塑形可以精確定向修改晶圓特征圖形的尺寸，增強 EUV 圖案化性能，減少最關鍵圖層的圖案化次數，進而實現功率、性能、面積、成本和上市時間的改進。

　　應用材料宣稱，Centura Sculpta 系統可在每片晶圓上節約 50 美元(IT之家備注：當前約 360 元人民幣)的制造成本，并減少能源和水資源的消耗以及二氧化碳的排放。