據韓媒 Viva100 報道，SK 海力士在今日舉行的一季度財報電話會議上表示其 12 層堆疊(12Hi)HBM3E 內存開發(fā)有望三季度完成，而下半年整體內存供應可能面臨不足。

　　目前三星電子已發(fā)布其 12Hi HBM3E 產品，該內存單堆棧容量達 36GB，目前已開始向客戶出樣，預計下半年大規(guī)模量產。

　　SK 海力士表示，今年客戶主要聚焦 8Hi HBM3E 內存，SK 海力士將為明年客戶對 12Hi HBM3E 需求的全面增長做好準備。

　　HBM3E 內存在價格方面相較 HBM3 更為昂貴，因為新產品可提供更大的帶寬和容量。

　　電話會議上，SK 海力士稱，其將優(yōu)先確保擁有更高附加值且需求能見度更高的 HBM 內存供應;HBM 內存芯片尺寸又是常規(guī) DRAM 的兩倍。

　　這些因素會相對擠壓常規(guī) DRAM 的晶圓投片量，預計下半年產能將受到限制。

　　SK 海力士預估，如果下半年 PC 和智能手機需求復蘇導致現有庫存耗盡，內存市場將面臨緊張局勢。

　　對于未來的 HBM4 內存，SK 海力士表示混合鍵合技術的應用將被推遲，因為該技術存在較大難度，貿然引入會對產能和質量帶來風險。

　　SK 海力士將在 16Hi HBM 中沿用現有的 MR-MUF(IT之家注：批量回流模制底部填充，Mass reflow molded underfill)鍵合技術，待到混合鍵合成熟后再進行使用。