《電子時報》昨日報道稱，臺積電最快在 2028 年推出的 A14P 制程中引入 High NA EUV 光刻技術。

　　對此，臺積電海外營運資深副總經理暨副共同營運長張曉強表示，仍在評估 High NA EUV 應用于未來制程節點的成本效益與可擴展性，目前采用時間未定。

　　上個月，ASML 透露將在 2024 年內向臺積電交付首臺 High NA EUV 光刻機，價值達 3.8 億美元(IT之家備注：當前約 27.6 億元人民幣)。

　　在此之前，ASML 已于 2023 年 12 月向英特爾開始交付全球首臺 High NA EUV 光刻機 TWINSCAN EXE:5000 的首批模塊，并已于今年 4 月 18 日完成組裝。

　　ASML 表示，這臺光刻機重量高達 150 噸，相當于兩架空中客車 A320 客機，全套系統需要 43 個貨運集裝箱內的 250 個貨箱來裝運，一開始預計需要 250 名工程人員、歷時 6 個月才能完成安裝。

　　資料顯示，ASML 的第一代 High NA EUV(EXE:5000)分辨率達 8nm，可以實現比現有 EUV 光刻機小 1.7 倍物理特征的微縮，從將單次曝光的晶體管密度提高 2.9 倍，可以使芯片制造商能夠簡化其制造流程。據介紹，EXE:5000 每小時可印刻 185 個以上的晶圓，而且 ASML 還制定了到 2025 年提高到每小時 220 片晶圓的計劃。

　　也就是說，ASML 第一代 High NA EUV 并不是專門用于芯片量產的機型，而是用于尖端工藝的開發和驗證;其第二代 High NA EUV 光刻機才是主要面向于尖端制程量產的光刻系統。值得一提的是，英特爾此前已宣布將率先采用 ASML 第二代 High NA EUV——TWINSCAN EXE:5200B 系統。