據(jù)韓媒ZDNet報(bào)道，三星計(jì)劃從第10代(V10)NAND閃存開始，可能使用中國長江存儲的混合鍵合專利技術(shù)。這一決定標(biāo)志著存儲行業(yè)技術(shù)競爭的新篇章。三星預(yù)計(jì)將于2025年下半年大規(guī)模生產(chǎn)V10 NAND，產(chǎn)品層數(shù)將達(dá)到420至430層。
隨著NAND技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)COP(Cell on Peripheral)技術(shù)在超過400層時(shí)面臨可靠性挑戰(zhàn)。為此，三星正尋求替代方案，并與長江存儲等公司協(xié)商專利協(xié)議。長江存儲憑借其晶棧Xtacking技術(shù)，在閃存領(lǐng)域建立了強(qiáng)大的專利組合，該技術(shù)能有效提升數(shù)據(jù)I/O接口速度和操作功能。
知情人士透露，美國Xperi、長江存儲和臺積電掌握著多數(shù)混合鍵合專利。面對下一代NAND如V10、V11和V12的技術(shù)瓶頸，三星選擇合作以確保順利過渡。
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