據(jù)韓媒《朝鮮日報》報道，三星電子與SK海力士正計劃將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于下一代HBM內(nèi)存——HBM4中。消息顯示，三星有望最早于明年在HBM4中引入該技術(shù)，而SK海力士則可能在后續(xù)的HBM4E中采用。相比之下，美光等其他廠商或?qū)⑦x擇有凸塊鍵合的迭代版本。

　　混合鍵合技術(shù)通過無凸塊設(shè)計，不僅能降低HBM內(nèi)存堆棧的層高，支持更多堆疊層數(shù)，還能提升電氣性能，實現(xiàn)更高的傳輸速率。根據(jù)半導(dǎo)體設(shè)備廠商Besi的年報，16Hi HBM4 (E) 產(chǎn)品預(yù)計將在2026年面世，雖較預(yù)期推遲一年，但仍標志著行業(yè)對高性能內(nèi)存的持續(xù)追求。這一技術(shù)突破將進一步推動數(shù)據(jù)中心、人工智能等領(lǐng)域的發(fā)展需求。