據日經 xTECH 報道，鎧俠 CTO 宮島英史在近日舉辦的第 71 屆日本應用物理學會春季學術演講會上表示該企業目標 2030~2031 年推出 1000 層的 3D NAND 閃存，并對存儲級內存(SCM)業務進行了重組。

　　鎧俠與西部數據攜手開發 NAND 閃存技術，目前這對合作伙伴最先進的產品是 218 層堆疊的 BICS8 3D 閃存。BICS8 閃存可實現 3200MT/s的 I / O 速率。

　　另一家主要 NAND 企業三星在 2022 年的技術日上提出了類似的觀點，當時三星預測到 2030 年實現 1000+ 層堆疊的 3D NAND 閃存。

　　提升堆疊層數是提升單顆 3D NAND 閃存顆粒容量的主要途徑。然而在層數提升的過程中，在閃存顆粒中蝕刻垂直通道的難度隨著深寬比的增高逐漸加大。

　　除高難度和低良率外，高深寬比蝕刻也是一項耗時耗財的工藝：目前每次這種蝕刻約需要 1 小時，NAND 原廠若想提升產能，則必須購進更多的蝕刻機臺。

　　因此鎧俠在 BICS8 中使用了雙堆棧工藝，分開實現兩個 NAND 堆棧的垂直通道蝕刻。

　　此舉雖然額外增添了在雙堆棧間通道的麻煩，但整體而言還是降低了難度。未來千層堆疊 NAND 閃存有望包含更多個 NAND 堆棧。

　　此外宮島英史還表示，相較于同時運營 NAND 和 DRAM 的競爭對手，鎧俠在業務豐富程度上面處于競爭劣勢，因此有必要培育存儲級內存(SCM)等新型存儲產品業務。

　　這位 CTO 稱，在 AI 熱潮下，DRAM 同 NAND 之間的性能差距正在拉大，而 SCM 可填補這一空白。

　　鎧俠于 4 月 1 日將此前的“存儲器技術研究實驗室”重組為“先進技術研究實驗室”。其 SCM 研究將集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型內存上，有望于 2~3 年內出貨。

　　參考IT之家報道，鎧俠之前在 SCM 領域主要聚焦 XL-FLASH 閃存方案。該企業于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。