5 月 6 日消息，據(jù)韓媒 The Elec 和《首爾經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道，SK 海力士在 5 月 2 日舉行的“AI 時(shí)代，SK 海力士藍(lán)圖和戰(zhàn)略”記者招待會(huì)上表示，其 HBM4 內(nèi)存的量產(chǎn)時(shí)間已提前到 2025 年。
具體來說，SK 海力士計(jì)劃在 2025 年下半年推出采用 12 層 DRAM 堆疊的首批 HBM4 產(chǎn)品，而 16 層堆疊 HBM 稍晚于 2026 年推出。
SK 海力士上月同臺積電達(dá)成 HBM 基礎(chǔ)裸片(Base Die)合作諒解備忘錄，當(dāng)時(shí)定于 2026 年推出 HBM4 內(nèi)存。
HBM4 量產(chǎn)的加速無疑顯示了 AI 領(lǐng)域巨頭對高性能內(nèi)存的強(qiáng)勁需求，日益強(qiáng)大的 AI 處理器需要更高內(nèi)存帶寬的輔助。
The Elec 預(yù)計(jì)，SK 海力士將在 HBM4 內(nèi)存中采用 1cnm 制程的新一代 DRAM 內(nèi)存芯片，目前的 HBM3E 產(chǎn)品基于 1bnm;而在基礎(chǔ)裸片部分，未來產(chǎn)品有望使用臺積電 7nm 系工藝。
SK 海力士在記者會(huì)上還表示目前基于 MR-MUF 鍵合的 12 層堆疊 HBM3E 內(nèi)存將于本月出樣三季度量產(chǎn)，未來 16 層堆疊產(chǎn)品也將采用 MR-RUF，詳情參見IT之家早前報(bào)道。
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